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光电传感器

FESTO 费斯托 漫反射式传感器 SOOE-BS-L-PNLK-T 测量原理 光电子元件

¥:6666.00

产品参数

详细参数
材料 - 本体:锌铸件输出配置:亮光-可选
连接方法:快速连接侵入防护:IP64
封装/外壳:模块尺寸

产品详情

FESTO 费斯托 漫反射式传感器 SOOE-BS-L-PNLK-T 测量原理 光电子元件

漫反射式传感器
SOOE-BS-L-PNLK-T
设计方形结构
符合标准EN 60947-5-2
符号00995956
认证RCM 商标
c UL us 认证 (OL)
CE 认证(见合格声明)符合欧盟电磁兼容性指令
符合欧盟 RoHS 指令
证书签发机构UL E232949
材料说明含有油漆润湿缺陷物质
RoHS 合规
测量原理光电子元件
检测方法带背景夹紧的漫反射式传感器
光源类型激光


红色
最光斑200 mm 感应范围内为 1 mm
最小目标直径2 mm
工作距离7 mm ... 300 mm
环境温度-40 °C ... 60 °C
最黑白差45 %
参考资料标准白色 90%,100x100 mm
开关输出推挽式
开关元件功能可切换
PNP,明切换
NPN,暗切换
迟滞18 mm
最开关频率1,650 Hz
最输出电流100 mA
电压降0 V ... 1.5 V
定时器功能通过 IO-Link®
短路电流额定值脉冲式
协议IO-Link®
IO-Link,协议版本装置 V 1.1
IO-Link,协议智能传感器配置文件
IO-Link,功能等级过程数据变量 (PDV)
标识
诊断
示教通道
切换信号通道 (SSC)
IO-Link,通信模式COM2 (38.4 kBaud)
IO-Link,SIO-Mode 支持是
IO-Link,端口等级A
IO-Link,过程数据长度 OUT2 位
IO-Link,过程数据内容 OUT1 位(发射极禁用)
1 位(保持)
IO-Link,过程数据长度 IN1 位
IO-Link,过程数据内容 IN1 位 SSC(切换信号)
IO-Link,最短周期时间2.3 ms
IO-Link,所需数据存储2,000 Byte
工作电压范围 DC10 V ... 30 V
残余波纹10 %


空载电源电流25 mA
反极性保护适用于所有电气连接
电气接口 1,连接类型插头
电气接口 1,连接系统M8x1,A・编码,符合・EN・61076-2-104・标准
电气接口 1,接口/线芯数3
电气接口 1,安装类型螺丝锁
电气接口 1,接口样式00991155
电触头材料镀金黄铜
安装方式通过用于 M3 螺钉的通孔
紧固扭矩0.8 Nm
安装位置可选
产品重量10 g
外壳材料PC
准备就绪状态指示绿色 LED
开关状态指示黄色 LED
设置选项IO-Link®
设置范围下限25 mm
设置范围上限300 mm
防护等级IP65
绝缘电压500 V
抗电涌性1 kV
耐腐蚀等级 CRC1 - 低耐腐蚀能力
激光安全等级1
污染等级3光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类:外光电效应、内光电效应及光生伏特应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应,如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特应,如光电池等。

FESTO 费斯托 漫反射式传感器 SOOE-BS-L-PNLK-T 测量原理 光电子元件